发布时间 : 星期六 文章半导体物理综合练习题(3)参考问题详解更新完毕开始阅读f9b0cbd40a4c2e3f5727a5e9856a561253d321c0
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1、晶格常数2.5?的一维晶格，当外加10V/m和10V/m电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。（1?=10nm=10m）
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2、指出下图中各表示的是什么半导体?
3、如图所示，解释一下n0~T关系曲线。
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４、若费米能EF=5eV，利用费米分布函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为１％。并计算在该温度下电子分布概率0.9~0.1所对应的能量区间。
５、两块n型硅材料,在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1/n2=e（e是自然对数的底）
（１）如果第一块材料的费米能级在导带底之下３k0T，试求出第二块材料中费米能级的位置； （２）求出两块材料中空穴密度之比p1/p2。
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6、硼的密度分别为NA1和NA2(NA1>NA2)的两个硅样品，在室温条件下: （１）哪个样品的少子密度低? （２）哪个样品的EF离价带顶近?
（３）如果再掺入少量的磷(磷的密度N`D< NA2)，它们的EF如何变化?
7、现有三块半导体硅材料，已知在室温下(３００K)它们的空穴浓度分别为p01=2.25×10cm、 p02=1.5×10cm 、p03=2.25×10cm。
（１）分别计算这三块材料的电子浓度n01 、n02、 n03； （２）判别这三块材料的导电类型；
（３）分别计算这三块材料的费米能级的位置。
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８、室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10/cm，
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