发布时间 : 星期六 文章上虞晶盛单晶炉操作说明书更新完毕开始阅读90a01dd726fff705cc170a8d
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（1）收尾完毕，在收尾工序界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；
（2）选择【停炉】按钮确定后系统跳转至停炉工序界面并运行停炉工序；
（3）程序将退出“热场温度”控制闭环并下降加热器给定功率至零，控制系统报警并提示关闭加热器。
按“加热器关”按钮关闭加热电源；
（4）根据工艺要求，程序按设定参数自动下降埚位 25~50 ㎜，关埚转、晶转并以给定的冷却时拉速缓慢
提升晶体； （5）停功率冷却 3~4 小时后程序自动退出“压力控制”闭环，关氩气阀将炉内压力抽至极限真空进行热
检漏；
（6）检漏合格,按“主真空泵关”按钮停机械泵，继续冷却 2 小时后打开炉子取出晶体。 注意：过程中不允许切断冷却水，否则炉内余热可能损坏炉体部件。
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第三章 单晶生长辅助流程
3.1 中途取晶
晶体生长过程中如需要取出一段已生长的单晶，剩余硅液继续进行生长，则必须进行中途取晶操作：
3.1.1 单晶冷却
在取出单晶前，晶体应逐步冷却，以防止晶体裂开。 （1）将等径控制、热场控制、坩埚跟踪控制环全部退到 OFF，放慢埚转到 2rpm，并将加热功率适当升高； （2）快速下降坩埚 20-30mm，使晶体脱离液面； （3）将晶升速度调整到180mm/hr，慢速提升晶体使之逐步冷却，保持 30 分钟后，将晶升速度加到 360mm/hr，
保持 30 分钟之后，将晶升速度加到 500mm/hr，保持 60 分钟。最后将晶体提升到副室内。
3.1.2 隔离
（1）确认晶体全部进入副室，按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；
（2）选择【隔离】按钮确定后系统跳转至隔离工序界面并运行隔离工序；
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（3）按屏幕提示关闭翻板阀至“隔离阀关”行程开关动作；快充氩气至副室压力为 400Torr，切换到手动，
关闭快充阀，在副室里让晶体冷却 30 分钟，再开启快充阀充开副室，最后取出晶体。 注意：翻板阀关闭后“隔离阀关”行程开关不动作，程序将无法自动切换各氩气阀开关，隔离工序也将无 法正常运行。
3.1.3 副室净化
（1）取出晶体后，检查好籽晶、钢丝绳。将籽晶、炉盖上的密封圈、插板阀等擦拭干净，合好副室；将
籽晶提升进副室；
（2）打开“副真空泵开”按钮，在隔离工序主界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；
（3）选择【副室净化】按钮确定后系统跳转至副室净化工序界面并运行净化工序；
（4）控制系统自动进行副室清洗，信息栏提示净化完成可以打开隔离阀提示信息并蜂鸣器报警时，打开
翻板阀至“隔离阀开”行程开关动作； （5）关闭辅助真空泵。
注意：自动隔离后程序自动更改投料量为剩料重量。 正常情况，二节引晶埚位为
一节隔离时埚位，即隔离取晶后要求埚位不变。
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