发布时间 : 星期二 文章《传感器与检测技术(胡向东-第2版)》习题解答更新完毕开始阅读8f117a4585868762caaedd3383c4bb4cf6ecb767
e(t1,t2)?e(t1,t0)?e(t2,t0)?e(420,30)?e(t2,30)?[e(420,0)?e(30,0)]?[e(t2,0)?e(30,0)]?e(420,0)?e(t2,0),所以e(t2,0)?e(420,0)?e(t1,t2)?17.24?15.24?2.0mv，
查表得t2点的温度为49.5℃，两点间的温度差为t1?t2?420-49.5=370.5℃。 ② 如果测量t2错用了E型热电偶，则
e(t1,t2)?eE(t1,t0)?eK(t2,t0)?eE(420,30)?eK(t2,30)?[eE(420,0)?eE(30,0)]?[eK(t2,0)?eK(30,0)]?[30.546?1.801]?[eK(t2,0)?1.203],所以eK(t2,0)?30.546?1.801?1.203?15.24?14.708mv
查表得t2点的温度为360℃，两点间的温度差实际为t1?t2?420-360=60℃。
8.8 将一支镍铬-镍硅热电偶与电压表相连，电压表接线端是50℃,若电位计上读数是6.0mV，问热电偶热端温度是多少？
解：① 查表，知K型热电偶50℃对应的电动势为2.022mV， ② 依据中间温度定律
EAB(t,t0)?EAB(t,tc)?E(tc,t0)
得
e(t)?6?2.022?8.022mV
③ 按内插值计算
tM?tL?EM?EL(tH?tL)
EH?EL得热端温度为t=190?8.022?7.737(200?190)=197.125℃
8.137?7.7378.9 铂电阻温度计在100℃时的电阻值为139Ω，当它与热的气体接触时，电阻值增至281Ω，试确定该气体的温度（设0℃时电阻值为100Ω）。 解：由0℃时电阻值为100Ω，可知该铂电阻温度计为分度号为Pt100的铂热电阻，根据100℃时的电阻值为139Ω，进一步确定为分度号为Pt100的铂热电阻。对应于281Ω的阻值，查Pt100分度表，对应的温度约为500℃。
8.10 镍铬-镍硅热电偶的灵敏度为0.04mV/℃，把它放在温度为1200℃处，若以指示表作为冷端，此处温度为50℃，试求热电动势的大小。
?3解：e(t1200,t50)?K?(1200?50)?0.04?10?1150?0.046V
8.11 将一灵敏度为0.08mV/℃的热电偶与电压表相连接，电压表接线端是50℃，若电位计上读数是60mV，求热电偶的热端温度。 解：t?e(t,t50)60?50??50=800℃ K0.088.12 使用K型热电偶，参考端温度为0℃，测量热端温度为30℃和900℃时，温差电动势
分别为1.203mV和37.326mV。当参考端温度为30℃、测量点温度为900℃时的温差电动势为多少？
解：根据中间温度定律
EAB(t,t0)?EAB(t,tc)?E(tc,t0)，
有
EAB(t900,t30)?EAB(t900,t0)?EAB(t0,t30)?EAB(t900,t0)?EAB(t30,t0)=37.326-1.203=36.123
mV
8.14 热电阻有什么特点？
答：热电阻测温基本原理：热电阻测温是基于热效应的基本原理。所谓热效应，就是金属导体的阻值会随温度的升高而增加或减小的现象。因此，我们只需测得金属导体电阻的变化就可间接获得被测温度。
8.15 试分析三线制和四线制接法在热电阻测量中的原理及其不同特点。 答：热电阻常用引线方式主要有：两线制、三线制和四线制。
两线制的特点是结构简单、费用低，但是引线电阻及其变化会带来附加误差。主要适用于引线不长、测温精度要求较低的场合。
三线制的特点是可较好地减小引线电阻的影响。主要适用于大多数工业测量场合。 四线制的特点是精度高，能完全消除引线电阻对测量的影响。主要适用于实验室等高精度测量场合。
8.17 某热敏电阻，其B值为2900K，若冰点电阻为500kΩ，求该热敏电阻在100℃时的阻抗。
解：具有负温度系数的热敏电阻，其阻值与温度的关系可表示为
RRT?R0exp(BB?)-2.8452,7.7717,10.6169 tt0BB29002900?)?500?103?exp(?) tt0373.15273.153R100?R0exp(3=500?10?exp(?2.8452)?500?10?0.05812=29kΩ
第9章 光电式传感器
9.4 什么是光电效应、内光电效应、外光电效应？这些光电效应的典型光电器件各自有哪些？
答：光照射到物体上使物体发射电子，或电导率发生变化，或产生光生电动势等，这些因光照引起物体电学特性改变的现象称为光电效应。 当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它的吸引力，脱离材料表面
进入外界空间，这种现象称为外光电效应。根据外光电效应制作的光电器件有光电管和光电倍增管。
内光电效应是指物体受到光照后所产生的光电子只在物体内部运动，而不会逸出物体的现象。内光电效应多发生在半导体内，可分为因光照引起半导体电阻率变化的光电导效应和因光照产生电动势的光生伏特效应两种。
光电导效应是指物体在入射光能量的激发下，其内部产生光生载流子（电子-空穴对），使物体中载流子数量显著增加而电阻减小的现象。基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。 光生伏特效应是指光照在半导体中激发出的光电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象，是将光能变为电能的一种效应。基于光生伏特效应的光电器件典型的有光电池；此外，光敏二极管、光敏晶体管也是基于光生伏特效应的光电器件。
9.22 一个8位光电码盘的最小分辨率是多少？如果要求每个最小分辨率对应的码盘圆弧长度至少为0.01mm，则码盘半径应有多大？
解：一个n位二进制码盘的最小分辨率是360?/2。∴8位光电码盘的最小分辨率是
n360?/28≈1.4°。
码盘周长为0.01mm?2=0.01mm*256=2.56mm，码盘半径为2.56mm/2π≈0.4074mm 9.23 设某循环码盘的初始位置为“0000”，利用该循环码盘测得结果为“0110”，其实际转过的角度是多少？
解：基于二进制码得到循环码的转换关系为
8Cn?Bn??，
Ci?Bi?Bi?1(i?1,L,n?1)?相应地，循环码转换为二进制码的方法为
Bn?Cn??。
Bi?Ci?Bi?1(i?1,L,n?1)?循环码： 0 1 1 0 ? 0 1 0 二进制码： 0 1 0 0 ∴循环码“0110”对应的二进制码为“0100”，对应的十进制数为4，又∵初始位置为“0000”，对应的二进制码为“0000”，对应的十进制数为0， ∴实际转过的角度???1??024?360??4?0?360??90? 169.27 已知某计量光栅的栅线密度为100线/mm，栅线夹角θ=0.1o。求： (1) 该光栅形成的莫尔条纹间距是多少?
(2) 若采用该光栅测量线位移，已知指示光栅上的莫尔条纹移动了15条，则被测位移为多少？
(3) 若采用四只光敏二极管接收莫尔条纹信号，并且光敏二极管响应时间为10-6 s ，问此时光栅允许最快的运动速度v是多少?
解：(1) 由光栅密度为100线/mm，可知其光栅栅距W?1mm?0.01mm 100根据公式可求莫尔条纹间距BH?W?
式中θ为主光栅与指示光栅夹角。 θ=0.1o=0.001745rad
BH?W??0.01mm?5.73mm
0.001745(2) 计量光栅对位移起放大作用，光栅每移动一个栅距，莫尔条纹移动一个间距BH。 指示光栅上莫尔条纹移动了15条，对应的光栅也就移动了15个栅距， 即被测线位移为△x=15×0.01mm=0.15mm
(3) 光栅运动速度与光敏二极管的响应时间成反比，即
v?W0.01??6mm/s?10m/s t10所以最大允许速度为10m/s
第10章 辐射与波式传感器
10.8 试分析微波传感器的主要组成及其各自的功能。
答：微波传感器的组成主要包括三个部分：微波发生器（或称微波振荡器）、微波天线及微波检测器。
（1）微波发生器
微波发生器是产生微波的装置。由于微波波长很短、频率很高（300MHz~300GHz），要求振荡回路有非常小的电感与电容，故不能采用普通的晶体管构成微波振荡器，而是采用速调管、磁控管或某些固态元件构成。小型微波振荡器也可采用体效应管。
微波发生器产生的振荡信号需要用波导管（管长为10cm以上，可用同轴电缆）传输。 （2）微波天线
微波天线是用于将经振荡器产生的微波信号发射出去的装置。为了保证发射出去的微波信号具有最大的能量输出和一致的方向性，要求微波天线有特殊的结构和形状，常用的天线如图10-17所示，包括喇叭形、抛物面形等。前者在波导管与敞开的空间之间起匹配作用，有利于获得最大能量输出；后者类似凹面镜产生平行光，有利于改善微波发射的方向性。 （3）微波检测器
微波检测器是用于探测微波信号的装置。微波在传播过程中表现为空间电场的微小变化，因此使用电流-电压呈非线性特性的电子元件，根据工作频率的不同，有多种电子元件可供选择（如较低频率下的半导体PN结元件、较高频率下的隧道结元件等），但都要求它们在工作频率范围内有足够快的响应速度。
10.13 在用脉冲回波法测量厚度时，利用何种方法测量时间间隔?t有利于自动测量？若已知超声波在被测试件中的传播速度为5480m/s，测得时间间隔为25?s，试求被测试件的厚度。
解：用稳频晶振产生的时间标准信号来测量时间间隔?t的计数脉冲个数，有利于自动测量。用插值法对两个脉冲之间的时间进行扩展再计数，有利于提高测量精度。
v?t5480?25?10?6被测试件的厚度d? ?=0.0685m
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