发布时间 : 星期一 文章TB62501工作原理及芯片资料更新完毕开始阅读88c0bad5240c844769eaeea9
TB62501F内部原理及工作流程
东芝双COMS硅陶石集成电路 TB62501F
用于笔记本电脑的电源管理芯片 ■用途
这个芯片用于笔记本电脑，用来控制电源供给线路。 ■概述
TB62501F接受多种电源输入和控制每一个RAMP驱动。
多种电源输入：
VREGIN16（6-16V之间） VCC3M（3.3V） VCC5M（5V） VDD15（15V） RAMP驱动分为六部分：
1、5B_DRV，3A_DRV，3B_DRV 2、3P_DRV 3、VBL16_DRV
4、DCIN_DRV，BAT_DRV，M1_DRV，S1_DRV 5、RD1_DRV，RD2_DRV
6、RD3_DRV，RD4_DRV
关于4、5、6部分，由于电路的不同将命名为NDRV，这个芯片具有开启电源、监测电源、关闭电源的功能是通过连接N沟道MOS管送到RAMP驱动终端来实现的。
同样，电源中电流过大受外部MOS（VCC5B、VCC3A、VCC3B、VCC3P、RD3、RD4）管监视，关闭信号是规定在任何异常状态下都要遵守。
在其他五个电源电压（VCC5M、VCC3M、VCC5B、VCC3A、VCC3B）也要受到监测（PGS线路），此外，它们是两上PDRV线路（M2_DRV和S2_DRV），它是有效的控制电源系统保持不同的电力供应。
■特征 ·封装LQFP64
·工序BiCD 0.8um – 40V ·系统结构
1、 恒流驱动N沟道电源MOS管的开关（RAMP DRIVER）； 2、 集成PGS电路特有的±8%的偏差； 3、 集成3.3V稳压器（-3%～+4%）； 4、 集成驱动的电荷泵；
5、 所有逻辑输入——COMS输入（兼容TTL电平输入）；低功耗（拨掉电池80μA关机20μA） 编号 1 2 3 4 5 6 7 8 名称 I/O 说明 1和2两个引脚都是低电平时，DCIN_DRV是充电状态，BAT_DRV是放电状态，1或2其中某一个为高电平则相反。 开关控制信号S1_DRV，H=充电，L=放电 开关控制信号S2_DRV，H=放电，L=关闭 逻辑地线（连接系统地线） 开关控制信号M1_DRV，H=充电，L=放电 开关控制信号M2_DRV，H=放电，L=关闭 开关控制信号5B_DRV，H=充电，L=放电 DISCHARGE I -EXTPWR I S1GATEON I S2GATEON I DGND G M1GATEON I M2GATEON I 5B_ON I
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 3A_ON CLKIN CLKOUT 3B_ON VCC_RD3 RD3_ON RD4_ON VBL_ON RD1_DRV 5B_DRV 5B PGND1 3A_DRV 3A 3B_DRV 3B VDD15 3P_DRV 3P PGND2 RD3_DRV RD3 RD4_DRV RD4 I I O I I I I I O O I G O I O I P O I G O I O I 开关控制信号3A_DRV，H=充电，L=放电 滞后比较器的振荡输入脚 滞后比较器的振荡输出脚 开关控制信号3B_DRV，H=充电，L=放电 电压供给RD3_DRV过载探测器，这个引脚执行相关过载探测 开关控制信号RD3_DRV，H=充电，L=放电 开关控制信号RD4_DRV，H=充电，L=放电 开关控制信号VBL16_DRV，H=充电，L=放电 N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD1） N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC5B） B_PGS和VCC5B低压保护输入引脚 驱动地线（连接到系统地线） N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC3A） B_PGS和VCC3A低压保护输入引脚 N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC3B） A_PGS和VCC3B低压保护输入引脚 门驱动的电源输入（12V-17V直流电源） N沟道MOS管的门驱动电压输出（VCC3P） VCC3P低压保护输入引脚 驱动地线（连接到系统地线） N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD3） RD3低压保护输入引脚 N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD4 RD4低压保护输入引脚 N沟道MOS管的门驱动电压输出（VBL16） VBL16电压过低保护输入引脚 N沟道MOS管的门驱动电压输出（RD2） 主电池充电驱动的输出，它的转换需要采用VCC3M电源供电 次电池充电驱动的输出，它的转换需要采用VCC5M电源供电 门驱动电源输入（24V直流电源） N沟道MOS管的门驱动电压输出（S1） N沟道MOS管的门驱动电压输出（M1） N沟道MOS管的门驱动电压输出（BAT） N沟道MOS管的门驱动电压输出（DCIN） VBL16_DRV O VBL16 RD2_DRV CPOUT1 CPOUT2 VCPIN24 S1_DRV M1_DRV BAT_DRV I O O O P O O O DCIN_DRV O
43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 VCC_RD4 FIX_R VCC3M M2_DRV S2_DRV VCC5M A_PGS B_PGS M_PGS -SHDN AGND O I P O O P O O O O G 电压供给RD4_DRV过载探测器，这个引脚执行相关过载探测 为参考电流设置电阻的终端 模拟线路电源供电（3.3V±5%直流电源） P沟道MOS管M2的门驱动电压输出（漏极开路） P沟道MOS管S2的门驱动电压输出（漏极开路） 模拟线路电源供电（5V±5%直流电源） VCC3A电源好信号输出（漏极开路） VCC3B/VCC5B电源好信号输出（漏极开路） VCC3M/VCC5M电源好信号输出（漏极开路） 系统关闭信号输出（漏极开路） 模拟地线（连接系统地线） 电池低保护设置引脚 热敏电阻连接引脚 测试模式信号引脚（连接系统地线） 电池供电或电源供电输入（5.5V-17V直流电） 复位信号输入引脚 内部调节器产生的3SW输入引脚 RD2_DRV开关控制信号，H=充电，L=放电 3P_DRV开关控制信号，H=充电，L=放电 RD1_DRV开关控制信号，H=充电，L=放电 5M_ON信号输入 3M_ON信号输入 BAT_VOLT I TH_DEL TEST O G VREGIN16 P -RESET 3SW RD2_ON 3P_ON RD1_ON 5M_ON 3M_ON I O I I I I I 说明：I表示输入（INPUT）、O表示输出（OUTPUT）、P表示电源（POWER）、G表示接地（GND）
从上面表格中可以看出，这个电源管理芯片的供电只有五个，那就是在第三竖栏I/O项目中标为P电源符号的引脚，其中包括25脚VDD15、38脚VCPIN24、45脚VCC3M、48脚VCC5M、57脚VREGIN16五个电压，这几个供电引脚上
每一个引脚的上电顺序不同，最先是VREGIN16和VCPIN24，接着就VCC5M和VCC3M，最后是VDD15这个电压信号，下面把这几个电压不同情况下芯片工作状态列举出来。
说明：○表示有电源；×表示没电源；—表示已关闭；Operate表示在运行；All表示全部MOS打开。