发布时间 : 星期日 文章模拟电路之二极管考试题库更新完毕开始阅读7c707b2f915f804d2b16c1bf
A、截止失真 B、饱和失真 C、双重失真 D、交越失真
6.在图2.2.2所示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值Vom将____。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定 7.在图2.2.2所示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区， 当除去旁路电容Ce后，放大倍数Av___。
A、增大B、减小C、不变（或基本不变）D、变化不定 8.在图2.2.2所示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，输入电阻Ri___。
A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
9.对图2.2.1所示固定放大电路中，当室温升高时，其三极管的IBQ___。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
10.对图2.2.1所示固定放大电路中，当室温升高时，其三极管的ICQ___。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
11.对图2.2.1所示固定放大电路中，当室温升高时，其三极管的VCEQ___。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
12.为了使高阻输入的放大电路(或高阻信号源)与低阻负载(或低输入电阻的放大电路)很好的配合,可以在高阻输出的放大电路和负载之间插入___。 A、共射电路 B、共集电路 C、共基电路 D、任何一种组态放大电路 二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等）
1.在图2.2.3所示射极偏置放大电路中,若在集电极串入一只直流电流表(直流电流表只能测量电流的平均值),在静态时,电流表的读数为ICQ,则Ic与ICQ的关系(大于、小于、等于)为：没有失真时Ic__ICQ。
2.在图2.2.3所示射极偏置放大电路中,若在集电极串入一只直流电流表(直流电流表只能测量电流的平均值),在静态时,电流表的读数为ICQ,则Ic与ICQ的关系(大于、小于、等于)为：输出产生饱和失真时Ic__ ICQ。
3.在图2.2.3所示射极偏置放大电路中,若在集电极串入一只直流电流表(直流电流表只能测量电流的平均值),在静态时,电流表的读数为ICQ,则Ic与ICQ的关系(大于、小于、等于)为：输出产生截止失真时Ic__ICQ。
4.在图2.2.3中,设输入信号Vi为正弦波,若输出波形的负半波被削平,则这是__失真。
5.如图2.2.4所示放大电路中，Vcc=20V,Rb1=80千欧，Rb2=20千欧，Re=3.3千欧，RC=RL=10千欧,设三极管的?=30,VBE=0.7V,rbb'=200欧姆,估算该电路最大不失真输出电压的幅值为（ICEO和VCES忽略不计）__。
6.如图2.2.4所示放大电路中，Vcc=20V,Rb1=80千欧，Rb2=20千欧，Re=3.3千欧，RC=RL=10千欧,设三极管的?=30,VBE=0.7V,rbb'=200欧姆,若要求放大电路的最大不失真幅度尽可能大，则Rb1应取__。
场效应管及基本放大电路测试题
一.选择题（60分）
1.为了把一个低阻输入的放大电路（或内阻极小的的电压源）转变为高阻输入的法放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入___。
A、共射电路 B、共极电路 C、共基电路 D、任何一种组态放大电路 2.在单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察Vo和Vi的波形，当放大电路为共射电路时，则Vo和Vi 的相位___。 A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定
3.在单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察Vo和Vi的波形，当放大电路为共集电路时，则Vo和Vi 的相位___。 A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定
4.在单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察Vo和Vi的波形，当放大电路为共基电路时，则Vo和Vi 的相位___。 A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定 5.即能放大电压，也能放大电流的是___组态电路。 A、共射 B、共集 C、共基 D、不定 6.即能放大电压，但不能放大电流的是___组态电路。 A、共射 B、共集 C、共基 D、不定 7.只能放大电流，但不能放大电压的是___组态电路。 A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
8.在共射、共基和共集三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是___组态电路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
9.在共射、共基和共集三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___组态电路。
A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
10.在共射、共基和共集三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是___组态电路。
A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
11.某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是___。 A、P沟道结型管 B、N沟道结型管 C、耗尽型PMOS管 D、耗尽型NMOS管
12、在图2.3.1中所示的几个偏置放大电路中，能正常工作的是————。 A、A B、B C、C
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫、毫西等）
1.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路中，若希望电压放大倍数大，可选用__组态。
2.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路中，若希望负载能力强，可选用__组态。
3.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路中，若希望从信号源索取的电流小，可选用__组态。
4.如图2.3.2所示的放大电路中，已知锗三极管的?=50,要使ICQ=1.5mA,Rb应取__。
5.如图2.3.3所示电路中的三极管?=50,rbb'=200欧姆，VBE=0.7V,则该电路的最大不失真输出的电压幅值(设VCES=1V，ICEO=0)__。
6.已知如图2.3.4所示放大电路中三极管的?=60,rbe=3千欧。若电容C3断开,该放大电路的Ri为__。
7.已知如图2.3.4所示放大电路中三极管的?=60,rbe=3千欧。接上C3后,该放大电路的Ri为__。
8.已知如图2.3.5所示电路中的N沟道JEFT,IDSS=16mA,Vp=-4V,该电路的跨导gm为__。