发布时间 : 星期四 文章材料科学基础教学教案更新完毕开始阅读7587657bcd84b9d528ea81c758f5f61fb7362881
二、晶体中位错模型及位错易动性 1．刃型位错 2．螺型位错 3．混合型位错 4．位错的易动性 图4-12 三、柏氏矢量 1．确定方法 2．柏氏矢量的意义
原子畸变程度
已滑移区与未滑移区的边界 滑移矢量 位错线的性质 3．柏氏矢量的表示方法 练习 四、位错的运动 1．位错的滑移
外加切应力方向、晶体滑移方向、位错线运动方向与柏氏矢量之间关系
图4-18、4-19、4-20，表4-1 2．位错的攀移 通过扩散实现
割阶的产生 正应力影响 3．作用在位错上的力 ?b ?b 五、位错密度
? ? 六、位错的观察 图4-24，4-25
§3-3 位错的能量及交互作用 一、位错的应变能 ?2
二、位错的线张力
图4-30 ?(2R)
三、位错的应力场及与其它缺陷的交互作用 1．位错的应力场 螺位错：纯剪切 刃位错：正应力为主 2．位错与点缺陷的交互作用
溶质原子形成的应力场与位错应力场可发生交互作用。比溶剂原
子大的溶质原子倾向于聚集在刃型位错受张力一侧，比溶剂原子小的溶质原子倾向于聚集在刃型位错受压力一侧，从而形成了包围着位错线的比较稳定分布的溶质原子“气团”，称气团
位错要挣脱气团的束缚而运动，就会使体系能量升高；若位错带着气团一起运动，在气团作用下运动受到阻滞，气团对位错的钉扎和阻滞作用使基体得以强化。 3．位错与其它位错的交互作用 同号相斥、异号相吸 刃位错位错墙 四、位错的分解与合成 1．位错反应的条件 1）几何条件：∑b前=∑b后 2）能量条件：∑b2前〉∑b2后 2．实际晶体中位错的柏氏矢量 分位错、不全位错
3．面心立方晶体中全位错的分解及扩展位错 扩展位错 堆垛层错，层错能 扩展位错宽度
§3-4 晶体中的界面 一、晶界的结构与晶界能
1． 小角度晶界的结构
由位错组成，晶界上的位错密度随位向差增大而增加 2． 大角度晶界
2~3个原子厚度的薄层，无序、稀疏 3． 晶界能 二、表面及表面能 密排面能量低 三、表面吸附与晶界内吸附
吸附为自发现象， 物理吸附、化学吸附
晶界内吸附：少量杂质或合金元素在晶体内部的分布是不均匀的，
常偏聚于晶界。
四、润湿行为
五、界面能与显维组织的变化