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模电复习题
1、若测得工作在放大电路中的某一只双极型晶体管（BJT）的三个电极的直流电位为：U1＝12 V、U2＝11.7 V、U3＝6 V，试问：据此可判断该管是 。
A、PNP型锗管； B、PNP型硅管； C、NPN型硅管； D、NPN型锗管
2.若测得工作在放大电路中的某BJT的三个电极的直流电位为：U1＝6 V、U2＝11.3 V、U3＝12 V，则据此判断该管是 。
A、PNP型Ge管；B、PNP型Si管；C、NPN型Si管；D、NPN型Ge管
3.若测得工作在放大电路中的某一只双极型晶体管（BJT）的三个电极的直流电位为：U1＝0 V、U2
＝－10 V、U3＝－9.3 V，据此可判断该管是 。
A、PNP型锗管； B、PNP型硅管； C、NPN型锗管； D、NPN型硅管
4.在低频小信号共射放大电路中，合理设置静态工作点的目的是 。
A、不失真地放大交流小信号； B、提高交流输入电阻； C、增强带负载能力； D、提高放大电路效率
5.共射-共基电路的电压增益与单管共射电路的接近，但前者的优势是：具有较 。
A、稳定的增益；B、宽的频带；C、小的输出电阻；D、强的抗干扰能力 6.在教材 P177图5.3.6所示电路中，当用直流电压表测得VCE≈VCC时，有可能是因为 ；当测得VCE≈0时，有可能是因为 。
A.Rb开路 B. Rb短路 C. RL开路 D. Rb过小 7.在教材P184图5.4.1a中，集电极电阻RC的作用是 。
A.放大电流 B.调节IBQ
C.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ
8. 在教材P184图5.4.1a中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的BJT工作在 。
A.放大工作状态 B.饱和工作状态 C.截止工作状态 D.工作状态不确定 9. 在教材P184图5.4.1a中，若负载电阻RL开路，则静态工作点的ICQ 。
A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
10. 在教材P184图5.4.1a中，若室温升高，三极管的ICQ ， VCEQ 。
A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
11. 在教材P184图5.4.1a中，若增大Re的阻值，则放大电路的输入电阻Ri ，输出电阻Ro ；若减小RL的阻值，则放大电路的输入电阻Ri ，输出电阻Ro 。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
12.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形。当放大电路为共射极放大电路时，则vo和vi的相位 ；当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位 ；当放大电路为共基极放大电路时，则vo和vi的相位 。 A.同相 B.反相 C.相差90° D. 不确定
13.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是 ；输入电阻最大的是 ；输入电阻最小的是 ；输出电阻最小的是 。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D.不定
14.在三极管放大电路的三种组态中，希望电压增益大可选用 组态；希望带负载能力强可选用 组态；希望高频响应好又有较大的电压增益可选用 组态。 A.共射或共基 B.共集 C.共基 D.共射
15. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后输出电压降为3V，该放大电路的输出电阻是 。
16. 某三极管三个电极对地的电位分别是：VE=0；VB＝4V；VC＝12V，由此可判断该三极管 。
A.处于放大区 B.处于饱和区 C.处于截止区 D.已经损坏
17.三级放大电路中AV1=AV2=AV3=20dB，则总的电压增益为 dB；电路将输入信号放大了 倍。
A 60 dB B 50 dB C 106 D103
18. 在教材P177图5.3.6所示电路中，增加电容Cb1的电容量，则中频电压放大倍数 ；下限频率fL ；上限频率fH 。
A 增加 B减小 C不变或基本不变 D不能确定
19.多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都 ；级数越多则上限频率fH越 。
A 大 B小 C宽 D窄
20. 在分压式偏置稳定的共射放大电路中，设置射极旁路电容CE的目的是 。
A、旁路交流信号，使Au不致降低；B、隔直；C、稳定Q点；D、提高电流增益
21.在放大电路中，若静态工作点选择过高，会出现 失真；若过低会出现 失真。
A.截止 B.交越 C.频率 D.饱和 22.界定晶体管安全工作区的三个极限参数为ICM、PCM和 。
A.ICEO B.β C.V(BR)CEO D.VCES
23. 直接耦合双极型晶体三极管（BJT）放大电路存在零点漂移的原因是 。
A、电路元件老化； B、BJT参数受温度影响； C、增益不够稳定； D、VCC不稳
24. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度主要取决于 。
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
25. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
A.大于 B.小于 C.变宽 D.变窄
26.稳压管在电路中欲起到稳压作用，除了小电压外，其应工作在 。
A.正向导通区 B.死区 C.反向截止区 D.反向击穿区
27.在教材P153图题4.4.3中，令R1＝0。若源极电阻R2增大，则该电路的漏极电流IDQ ，跨导gm 电压增益的绝对值将 。
A增大 B减小 C 不变 D 不定
28.用于放大器件时，场效应晶体管（FET）工作在漏极特性曲线的 。
A、可变电阻区； B、截止区； C、恒流区； D、反向击穿区 29.在场效应管共源（CS）放大电路中，设置漏极电阻RD的作用是 。
A、将电流信号转换为电压信号输出；B、限流；C、压控电流；D、取得合适栅偏压
30. 在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形。当放大电路为共源极放大电路时，则vo和vi的相位 ；当放大电路为共漏极放大电路时，则vo和vi的相位 ；当放大电路为共栅极放大电路时，则vo和vi的相位 。
A.同相 B.反相 C.相差90° D. 不确定
31.在带射极恒流源的差放电路中，恒流源代替射极电阻RE的作用是 。
A、增大差模输入电阻； B、提高差模输出电压的幅值； C、取得与高阻值RE相同的抑制零漂效果； D、减小差模输出电阻 32.与BJT相比，FET的温度稳定性要 。
A.差得多 B.好得多 C.大致相同 D.不一定
33.场效应管（FET）的低频跨导gm反映了管子的 的作用。
A. iG控制iD B. vGS控制iD C. iG控制vDS D. vGS控制vDS
34. 半导体二极管的一个重要特性是 A.温度稳定性 B.单向导电性 C.放大作用 D.滤波特性
35. 有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的情况下，测得A放大器的输出电压小，这说明A放大器的 。
A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 36. 当集成运放工作在 时，可运用 和 概念。
A.线性区 B. 虚短 C. 虚断 D. 虚地 37.试分别从“同相”、“反相”中选择一词填入下面的空格。
⑴ 比例运算电路中，运放的反相输入端为虚地点，而 比例运算电路中，运放的两个输入端对地电压基本上等于输入电压；
⑵ 比例运算电路的输入电阻Ri很大，而 比例运算电路的输入电阻很小，Ri≈R1；
⑶ 比例运算电路的输入基本上等于流过反馈电阻的电流，而 比例运算电路的输入电流几乎等于0；
⑷流过 求和电路反馈电阻的电流等于各输入电流的代数和； ⑸ 比例运算电路的特例是电压跟随器，它具有Ri大和Ro小的特点，常用作缓冲器。 38. 只要有上、下截止频率fH、fL和 ，就可绘出基本共射放大电路的幅频特性曲线。
A、上升、下降速率 B、－45o/十倍频程 C、幅值裕量 D、特征频率fT
39. 已知射极跟随器与基本共射放大电路在同一电压源作用下，且两者选用同一只BJT，但前者的通频带却比后者 。
A、窄得多； B、宽得多； C、欠稳定； D、略宽一些 40. 多级放大电路的通频带与组成它的任一级放大电路的通频带相比， 。
A、前者频带宽； B、前者频带窄； C、两者频带等宽； D、无可比性
41. 基本共集放大电路（即射极跟随器，简称射随器）比基本共射放大电路的通频带宽，其原
因是 。
A、射随器的隔直耦合电容C1、C2的容量大； B、射随器中BJT的Cb′e和Cb′c小； C、射随器的增益带宽积较大一些； D、射随器中引入了交流负反馈
42. 某单管阻容耦合共射放大电路的中频电压放大倍数为：－100，当信号频率等于上限频率fH
时，此电路的电压放大倍数约为 。
A、－100； B、－3； C、－70.7； D、特征频率fT所确定的增益 43. 放大电路在高频信号作用下电压增益下降的原因是 。
A、存在着晶体管极间电容和分布电容； B、晶体管非线性特性； C、电路中有耦合电容和射极旁路电容； D、静态工作点设置不合适
44. 增益-带宽积（GBP）用来描述放大电路AusM与fBW之关系，此乘积应 。
A、大一些好； B、越小越好； C、小一些好； D、越稳越好
45.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降 。
A.3dB B.6 dB C.9 dB D.20 dB
46. 幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于 失真。 47. 在考虑放大电路的频率失真时，若vi为正弦波，则vo 。
A.有可能产生相位失真 B.有可能产生幅度失真和相位失真 C.一定会产生线性失真 D.不会产生线性失真
48. 电流源电路在集成运放中，常用作 电路和 电路；前者的作用是 ；后者的作用是 。（将下列选项分别填入空格中）
A有源负载 B 提高开环增益 C偏置 D提供稳定的偏置电流 49.电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 ，因为电流源的 大。 50.带Re电阻的长尾型差分放大电路，对于 有很强的抑制能力。
51.差分放大电路有 种输入-输出连接方式，其差模电压增益与 方式有关，与 方式无关。
52.集成运放中，由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象称为 ，其主要原因是由 引起的。
53. 在射极耦合差放电路中，若射极电阻RE越大，则 ，但RE也不能太大。
A、Ad 越大； B、Ad 越小； C、Ac 越小； D、KCMRR 越小
54.电流源电路的特点是输出电流 ，直流等效电阻 ，交流等效电阻 。
A 大 B 小 C恒定 D不定 55.放大器产生零点漂移的主要原因是 。
A环境温度变化 B电压增益太大 C采用直接耦合方式 D采用阻容耦合方式
56.多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的是 ，零点漂移最大的一级是 。 A 输入级 B中间级 C输出级 D 电压增益最大的一级 57.差动放大电路只对 具有放大作用。
A、共模信号； B、差模信号； C、正弦交流小信号； D、直流信号 58.下列选项中，不是差动放大电路特点的是 。
A、输入电阻高； B、输出电阻低； C、差模电压增益大； D、共模抑制比大 59.差分放大器由双端输入改为单端输入，差模电压增益 。 A 增加一倍 B为双端输入时的一半 C不变 D不确定 60.差分放大器中，当vi1=300mV，vi2=200mV时，分解为共模信号viC＝ ，差模信号vid＝ ；差模输入信号vid1＝ 。
A.500mV B.100 mV C.250 mV D.50 mV
61.差分放大器由双端输出改为单端输出，共模抑制比将 ；其原因是 。
A. 增大；Avd不变，Avc减小 B. 增大；Avd减小，Av不变 （Avd均为绝对值） C. 减小；Avd减小，Avc增大 D. 减小；Avd增大，Avc 减小