MOS管的静态工作点的计算 联系客服

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据场效应管的上述特点,利用双极型三极管与场效应管的电极对应关系,即b→G,e→S,c→D,即可在单管共射放大电路的基础上,组成共源极放大电路。

上图是一个由N沟道增强型MOS场效应管组成的单管共源极放大电路的原理电路图。为了使场效应管工作在恒流区以实现放大作用,对于N沟道 增强型MOS管来说,应满足以下条件: uGS>UT uDS>uGS-UT

其中UT为N沟道增强型MOS场效应管的开启电压。 一、静态分析

为了分析共源极放大电路的静态工作点,可以利用近似估算法或图解法。 (一)近似估算法

在上图中,由于MOS场效应管的栅极电流为零,因此电阻RG上没有电压降,则当输入电压等于零时

UGSQ=VGG (2.7.1) 由上图可得

UDSQ=VDD-IDQRD (2.7.4) (二)图解法

为了用图解法确定静态工作点,应先画出直流负载线。由上图电路的漏极回路可列了以下方程: uDS=VDD-iDRD

根据以上方程,在场效应管的输出特性曲线上画出直流负载线,如下图所示。直流负载线与uGS=UGSQ=VGG的一条输出特性的交点即是静态工作点Q。由图可得静态时的IDQ和UDSQ,见下图。

二、动态分析

同样可以利用微变等效电路法对场效应管放大电路进行动态分析。

首先讨论场效应管的等效电路。由于漏极电流iD是栅源电压uGS和漏源电压uGS的函数,根据式(2.7.8)可画出场效应管的微变等效电路,如下图所示。图中栅极与源极之间虽然有一个电压Ugs,但是没有栅极电流,所以栅极是悬空的。D、S之间的电流源gmUgs也是一个受控源,体现了Ugs对Id的控制作用。

等效电路中有两个微变参数:gm和rDS。它们的数值可以根据式(2.7.6)和(2.7.7)中的定义,在场效应管的特性曲线上通过作图的方法求得。 一般gm的数值约为0.1至20mS。rDS的数值通常为几百千欧的数量级。当漏极负载电阻RD比rDS小得多,可认为等效电路中的rDS开路。

2.7.2 分压-自偏压式共源放大电路

静态时,栅极电压由VDD经电阻R1、R2分压后提供,静态漏极电流渡过电阻RS产生一个自偏压,场效应管的静态偏置电压UGSQ由分压和自偏压的结果共同决定,因此称为分压-自偏压式共源放大电路。引入源极电阻RS也有利于稳定静态工作点,而旁路电容CS必须足够大,以免影响电压放大倍数。接入栅极电阻RG的作用是提高放大电路的输入电阻。 一、静态分析 (一)近似估算法

根据图2.7.7的输入回路可求得

UDSQ=VDD-IDQ(RD+RS) (2.7.13) (二)图解法

为了分析分压-自偏压式共源放大电路的静态工作点,也可心在场效应管转移特性和漏极特性上利用作图的方法求解。

表达式可用一条直线表示,见上图(a)。另外,iD与uGS之间又必须满足转移特曲线的规律,所以二者的交点即是静态工作点Q。根据转移特性上Q点的位置可求得静态的UGSQ和IDQ值,见上图(a)。 电路的漏极回路可列出以下方程: uDS=VDD—iD(RD+RS)

由此可在漏极特性曲线上画出直流负载线,见上图(b)。直流负载线与uGS=UGSQ一条漏极特性的交点确定了漏极特性曲线上Q点的位置。由此可找到静态时的UDSQ和IDQ值。