发布时间 : 星期一 文章MP3原理及电路分析资料更新完毕开始阅读40d20e030a1c59eef8c75fbfc77da26924c59631
9 、AOUTL 音频L输出
10 、PAGND PWR// 功率放大器地
11 、VRDA 旁路电容器 ( 0.47 uF-1UF)
12 、MICIN 录音前置放大器输入经224电容(0.8 V-2.2V)
13 、VMIC 电源对于前置放大器,2.2 V 输出 ，经2.2K或4.7K电阻 14 、FMINL FM音频L输入 经104-105电容 15 、FMINR FM音频R输入 经104-105电容 16 、AGND PWR 音频地
17 、AVCC PWR 音频电源 经104电容接地 18 、VREFI 电压基准输入 (1.5 V)
19 、AVDD PWR 输出经152稳压在1.5V输入到18脚 20 、VDDIO PWR 功率输出 ( 连接到 VDD)
21 、VP PWR(当 有2个电源时连接， 其他的连接到 VCC)
22 、LRADC 数位转换器输入,0.8--2.2 V,8 Bit 数位转换器（空） 23 、HOSCI 高频晶体振荡输入 24 、HOSCO 高频晶体振荡输出
25、 第一 BATSEL设备组选择。 L ：一个设备组，H ：二个电源
26 、第一 DCDIS/ L 直流- 直流控制。 H: 直流-直流。 L: 直流的准许-直流。 一般用途输入／输出的 GPIO_B0 BI Z Bit0 移植 B（现在25和26 是连接的，接3V VCC）
27、第一 KEYI0 1.9 驱动器/主要精检电路输入的 Bit0
28 、一般用途输入／输出的 GPIO_C2 BI 1.9 ma driver L Bit2 移植 C 一般用途输入／输出的 GPIO_B1 BI Z Bit1 移植 B 29、第一 KEYI1 1.9 驱动器/主要精检电路输入的 Bit1
30 、接地 PWR//地（27、29和35、40、41、vcc组成按键功能） 31、电池电压检测
32 LXVDD VDD 直流- 直流（空） 33 、NGND PWR// N通路的地
34 、LXVCC // VCC 直流- 直流（空）
35、第一 KEYI2 1.9 驱动器/主要精检电路输入的 Bit2 36 、CE3- O/ H 8080 接口 LCM 芯片（接LCM CE）
37 、CE2- O/ H (可选择的)（接第一片的10脚和第二片FLASH的9 脚 ） 38 、CE1- O/H （接第一片FLASH的9 脚 ） 39 、VDD PWR
40 、一般用途输入／输出的 GPIO_B4 主要精检电路输出的 KEYO0 O/ Bit0 41 、KEYO1 O 一般用途输入／输出的 GPIO_B6
42 、KEYO2 O 一般用途输出的 GPO_A1 （BN接USB5V经过了一个100K电阻）
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43、（LCM-RST）GPO_A1
44 、GPO_A2（ELENA,背光输出控制）
45 、GPO_A0(LCM-A0) 第一 ICEDI3.5 驱动器/数据为检测输入到 DSU 46、ICEEN（ICEEN- 主SCU H DSU）（空） 47 、ICERST- 主 SCU H DSU 复置 （空） 48 、VCC PWR// 数传电源 49、 接地 PWR//地
50、 存储器数据流的 D7 BI/ L Bit7(接FLASH的44脚) 51 、存储器数据流的 D6 BI/ L Bit6 (接FLASH的43脚) 52 、存储器数据流的 D5 BI/ L Bit5 (接FLASH的42脚) 53 、存储器数据流的 D4 BI/ L Bit4 (接FLASH的41脚) 54 、存储器数据流的 D3 BI/ L Bit3 (接FLASH的32脚) 55 、存储器数据流的 D2 BI/ L Bit2 (接FLASH的31脚) 56 、存储器数据流的 D1 BI/ L Bit1 (接FLASH的30脚) 57 、存储器数据流的 D0 BI/ L Bit0 (接FLASH的29脚) 58 、MWR- O/ H 存储器写(接FLASH的18脚，两片都要接 ) 59 、MRD- O/ H 存储器读(接FLASH的8脚，两片都要接) 60 、CLE O/ L(接FLASH的16脚，两片都要接)
61 、O/ L 输入／输出的 GPIO_C1 BI H Bit1 集成电路连载数据 (接FLASH的17脚) 62 、FM DATA(收音FM数据) 63 、FM CLK(收音FM时钟) 64 、VDD PWR// 电源
（三）、电源模块
由USB接口充电，电源流经U22、U23锂离子电池保护电路实现充放电过程中过度充电保护、过电流／短路保护和过放电保护，电池放电时经电容滤波再由U17、U9稳压管得出AVDD、AVCC较稳定的电压，控制芯片工作。
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DDLIBAT16CC16CAPC18CAPR90100RC24C17CAP54VSSVDD CtU23521AR1001KDOUTV-COUT121234D1S11S12G1U22D2S22S21G25N 20V8765C3J1J2CAPVCCD1R6S14R7+C70VCCL1INDUCTOR1U17XC6206P332M3VINVOUT2G1N4148+C66+C65POWER SW224BAVDD3+C49R722K1CAPACITOR POLCAPACITOR POLBU9XC6206P152MVINVOUT2VREFIVBAT10UFGVBATVDDIO1R851K0RVDDR11A16L?AVDD10UFC9CAP+C151INDUCTOR1C?+CAPACITOR POL+C69+C?CAPACITOR POL47UFATitle SizeBNumberRevisionDate:File:25-Dec-2004Sheet of C:\\Program Files\\Design Explorer 99 SE\\ExDraampwnle Bs\\By:ACKUP~2.DDB6A1锂电池保护：由于锂离子电池能量密度高，因此难以确保电池的安全性。在过度充电状态下，电池温度上升后能量将过剩，于是电解液分解而产生气体，因内压上升而产生自燃或破裂的危险；反之，在过度放电状态下，电解液因分解导致电池特性及耐久性劣化，因而降低可充电次数。 锂离子电池的保护电路就是要确保这样的过度充电及放电状态时的安全性，并防止特性劣化。锂离子电池的保护电路是由保护IC及两颗功率MOSFET所构成，其中保护IC监视电池电压，当有过度充电及放电状态时切换到以外挂的功率MOSFET来保护电池，保护IC的功能有过度充电保护、过度放电保护和过电流／短路保护。
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1、过度充电保护
过度充电保护IC的原理为：当外部充电器对锂电池充电时，为防止因温度上升所导致的内压上升，需终止充电状态。此时，保护IC需检测电池电
压，当到达4.25V时（假设电池过充点为4.25V）即激活过度充电保护，将功率MOSFET由开转为切断，进而截止充电。
另外，还必须注意因噪音所产生的过度充电检出误动作，以免判定为过充保护。因此，需要设定延迟时间，并且延迟时间不能短于噪音的持续时间。 2、过度放电保护
在过度放电的情况下，电解液因分解而导致电池特性劣化，并造成充电次数的降低。采用锂电池保护IC可以避免过度放电现象产生，实现电池保护
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功能。
过度放电保护IC原理：为了防止锂电池的过度放电状态，假设锂电池接上负载，当锂电池电压低于其过度放电电压检测点（假定为2.3V）时将激活过度放电保护，使功率MOSFET由开转变为切断而截止放电，以避免电池过度放电现象产生，并将电池保持在低静态电流的待机模式，此时的电流仅0.1μA。 当锂电池接上充电器，且此时锂电池电压高于过度放电电压时，过度放电保护功能方可解除。另外，考虑到脉冲放电的情况，过放电检测电路设有延迟时间以避免产生误动作。 3、过电流及短路电流
因为不明原因（放电时或正负极遭金属物误触）造成过电流或短路，为确保安全，必须使其立即停止放电。
过电流保护IC原理为，当放电电流过大或短路情况产生时，保护IC将激活过（短路）电流保护，此时过电流的检测是将功率MOSFET的Rds(on) 当成感应阻抗用以监测其电压的下降情形，如果比所定的过电流检测电压还高则停止放电，运算公式为:
V- = I × Rds(on) × 2（V- 为过电流检测电压，I 为放电电流） 假设 V- = 0.2V，Rds(on) = 25mΩ，则保护电流的大小为 I = 4A
同样地，过电流检测也必须设有延迟时间以防有突发电流流入时产生误动作。通常在过电流产生后，若能去除过电流因素（例如马上与负载脱离），将会恢复其正常状态，可以再进行正常的充放电动作。
（四）、液晶显示模块：
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