发布时间 : 星期三 文章模拟电子技术教程课后习题答案大全更新完毕开始阅读1a64c43548d7c1c708a14556
解：（1）图(a)为电压串联负反馈；图(b)为电压并联负反馈；图(c)为电流串联负反馈；图(d)为电流并联负反馈。
（2）各开环放大器对应的反馈网络详细电路图如下：
ioRfufR1RfuoifRfifRfufioR2uo （a） （b） （c） （d） 习题8 答案 图(a)的反馈网络表达式为Fu?uf?uoR1
R1?Rf图(b)的反馈网络表达式为Fg?if1 ??uoRf图(c)的反馈网络表达式为Fr?uf?Rf ioifR2 ?ioR2?Rf图(d)的反馈网络表达式为Fi?9 .电路如图5-64所示。
（1）判断该电路中R6引入什么类型的反馈； （2）设gm1=20、β2=100，R6=2KΩ， 用方框图法求解电路的增益Af、输入阻抗Rif
和输出阻抗Rof。
【修正：在教材中应加入已知条件“R6=2KΩ”】
解：（1）引入电压串联负反馈，且为交流反馈。 （2）
图5-64 习题9电路图
Au?Au1?Au2Au1??Au2??gm1{R5//[rbe2?(1??2)R7]}??31?gm1(R4//R6)?2[R9//RL//(R6?R4)]??0.5rbe2?(1??2)R7Au?1.5ufR4Fu???0.5uoR4?R6AuAuf??11?AuFuRif?(R3?R1//R2)?550k?
Rof?
1[R9//(R4?R6)]?760?
1?AuFu10． 电路如图5-65所示，该电路由四级三极管直接耦合而成。 （1）判断R7是否引入负反馈，并判断反馈类型；
（2）电路有无可能发生自激振荡； （3）假设闭环增益|AF|在低频段为80dB，
+??+VccD1R2R1R4T2T1R7R3R5R6D2R9RLT3R8T4+T4管的结电容影响可忽略。T1、T2及T3的结电容在频率f=104处会引入一个低通环节，请画出20lg|AF|的波特图。并分析自激可能产生在什么频率处；
（4）若要消除自激，可采用哪些方案。 解：（1）R7引入了电压并联负反馈。
??ui_uo_ 图5-65 习题10 电路图 （2）电路由四级三极管耦合而成，可能产生超过180°的相移，故有可能发生自激振荡。 （3）波特图如图所示：fc≈2.5×105KHZ，f0≈2.5×104KHZ，fc > f0，系统不稳定。 自激可能产生在f0≈2.5×104KHZ频率处。
??
习题10 波特图
??（4）a、可以降低低频段的闭环增益|AF|，让fc提前产生，如|AF|=50dB,就可以让fc<105Hz,从而避免自激振荡。这可以通过改变放大器开环增益或反馈系数达到目的，且不改变放大器的带宽和相频特性。
b、采用频率补偿，在反馈环路中增加阻容元件，改变|AF|的频率特性，常用的补偿方法有滞后补偿和超前补偿，具体可参考课本。
11． 电路如图5-66所示。按照晶体管、场效应管的高频等效模型在全频段内分析该放大器的增益Au，输入阻抗Zi，输出阻抗Zo。已知VCC=12V，β1=50，rbb′=300?，fT1=100MHz，Cμ=20pF，gm2=4mS， RS=1k ?，Cgs=Cgd=2pF，Cds=0.1pF。
图5-66 习题11电路图 Rs+Us_?100kΩ??+VccR11kΩR2C250kΩ2kΩR3R5C310μFC1T110μF10μF20kΩ+T2RL1kΩUo_R4 【修正：教材中该题应把gm2改为4mS，还应加已知条件“RS=1k ?，Cgs=Cgd=2pF，Cds=0.1pF”】
解：中频段放大器的增益：
rbe?rbb/?(1??1)IEQ126mVUT?rbb/?(1??1)IEQ1(1??1)UT?500?VCC?UBEQ1R1
gm1??0.23SAum??
rb'erbe?gm1(R2//R3//R4)?(?gm2?R5)?800
低频段： C1环节：fL1?1?10HZ
2?[(R1//rbe)?RS]C11?1HZ
2?(R2?R3//R4)C21?5HZ
2?(R5?RL)C3C2环节：fL2?C3环节：fL3?高频段：
R?rb'e//(rbb'?Rs//R1)?185?'C??C??(1??rb'e'RL)C??gm?'?(1?RL)C??4.6?F 2?fTrb'e'RL?R2//R3//R4?1k?fH1?1?1.87MHZ '2?RC?Rg?R2//R3//R4?1k?'Cgs?Cgs?[1?gm2(R5//RL)]Cgd?8.8pF
fH2?1?16MHZ'2?RgCgsAU?Aum1fffff(1?jL1)(1?jL2)(1?jL3)(1?j)(1?j)ffffH1fH2