发布时间 : 星期三 文章模拟电子技术教程课后习题答案大全更新完毕开始阅读1a64c43548d7c1c708a14556
第1章 习题答案
1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题：
（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是 10S 。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是 1KΩ 。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是 0.01 。 （4）在 输入信号为电压源的 情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在 负载要求为恒压输出的 情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在 输入信号为电流源的 情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在 负载要求为恒流输出的 情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。 （9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+UOM是 14V ，最大不
失真负电压输出-UOM是 -14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成
约70V/V，该放大器的下限截止频率fL是 0HZ ，上限截止频率fH是 250KHZ ，通频带fBW是 250KHZ 。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的
内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。
4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大
器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。
解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输
出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。
第2章 习题答案
1. 概念题：
（1）常温下，N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（ 有 ） P型半导体在导电时有电子载流子参与吗？（ 有 ）
（2）在不加外电压时，PN结内部有没有电子的运动？（ 有 ） 将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗？（ 无 ）
（3）PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（ 不是 ）P+N结加反向电压哪边将变得更宽（ N边 ）
（4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（ 不一定 ）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的吗？（ 是 ）
（5）拿2个二极管可否组成1个三极管？（ 不行 ）三极管可否当二极管用？（ 可以 ）
（6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D） A. 二极管、稳压管
B.三极管
C. 结型场效应管
D. MOS管
（7）H参数等效模型适合（ A、C、D ）。
A. 中低频电路
B. 高频电路
C. 小信号输入
D. 交流分析
（8）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ A、C ）。 A. 结型场效应管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
（9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是 电子和空穴都参与导电 。
（10）二极管主要的特点是 单向导电性 ，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 最大整流电流 和 最大反向电压 。
（11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
（12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 上升 。
（13）将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到 5 种有效的形式，等效稳压值分别为 3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7 。
（14）PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在 信号频率 较高时必须考虑这种效应。
（15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（ 需要 ）发光二极管在工作时要串联一个电阻，否则 会因电流过大而损坏 。
（16）三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为 UCB=0 ，截止区和放大区的分界线标志为 IB=0或 IC=ICEO 。
（17）当三极管工作在放大区时，两个PN结的特征是 发射结正偏、集电结反偏 。
（18）耗尽型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(off) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(off) ；增强型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(th) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(th) 。
（19） 在 0< |UGS|<|UGS(off)|，|UGD|>|UGS(off)| 且二者同号的 前提下，JFET管或耗尽型MOS管工作在放大区。
（20）当N沟道增强型MOS管工作在放大区时，其外部管脚间的电压特征是 |UGS|>|UGS(th) ， |UGD|<|UGS(th)| 且二者同号 。
2．如图2-64所示电阻分压式电路，输入电压ui为正弦信号，峰值为0～100V。要求输出uo为0～5V，输出阻抗小于1kΩ，分压精度优于1‰，请给出R1、R2的阻值、功率和精度。
解：根据输出阻抗要求，选R2=1kΩ，则R1=19kΩ；因功率为（0.707*50）2/20=62mW,故电阻功率选1/4W；有风压精度要求，选电阻的精度等级为0.05%。
3． 如图2-65所示，电路输入ui为220 V、50Hz交流电压，断开电容C画出ui、uo对应波形；如果把C接入，请分析uo波形的变化，并说明对C有何作用？如何选择其何参数？ 解：
提示：断开C时，为单向整流； 接入C时为整流滤波电路， C的耐压大于250V （波形略）
4．电路如图2-66所示，ui为127V、400Hz交流电压，画出ui和uo对应波形。并说明电感L有何作用？如何选择其参数？ 解：
图2-66 习题4电路图 +DL+C1C2RLuo_+D+CRR1++R2uo_ui_ 图2-64 习题2电路图 ui_uo_ 图2-65 习题3电路图 ui_ 该电路是半波整流LCπ型滤波电路；L的作用是抑制电流的变化，使输出波形平滑。 （波形略）
5．二极管电路如图2-67所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压UAO。设二极管是理想二极管。
DA12V6kΩ18VDA6kΩ12V18VO O （a） （b） D1D2D2A10kΩD110kΩ9V6V15VA9V15VO O （c） （d） 图2-67 习题5电路图 解：(a)导通，-12V (b)截止，-12V (c)D1截止，D2导通，-9V (d)D1截止，D2导通，6V
6 . 电路如图T2.6所示，输入ui为三角波，峰—峰值为±10 V。
（1）设D1、D2管压降为0.7V，画出uo的对应波形和输入输出特性图。
（2）若D1、D2为理想二极管，uo波形会有什么变化。 解：（1）见下图
（2）上下限幅值该为5V、-4V。
图2-68 习题6电路图 + RD15VD24V+ ui_uo_