最新计算机组成原理答案(张功萱等编著)终极完整版 联系客服

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理 ⑤ 舍入处理

(5) 在浮点运算过程中,如果运算结果的尾数部分不是 ① 形式,则需要进行规格化处理。设尾数采用补码表示形式,当运算结果 ② 时,需要进行右规操作;当运算结果 ③ 时,需要进行左规操作。

答:① 规格化 ② 溢出 ③ 不是规格化数

(6) 将两个8421BCD码相加,为了得到正确的十进制运算结果,需要对结果进行修正,其修正方法是 ① 。

答:① 两个8421码相加后,若相加的和数<10,则不需修正,按二进制规

则相加的结果就是正确的8421码的和数;若相加的和数≥10,则需在二进制相加的结果上加“0110”进行修正。

(7) 浮点运算器由 ① 和 ② 两部分组成,它们本身都是定点运算器,其中①要求能够进行 ③ 运算;②要求能够进行 ④ 运算。

答:① 阶码部件 ② 尾数部件 ③ 加减 ④ 加减乘除

(8) 设有一个16位的数据存放在由两个8位寄存器AH和AL组成的寄存器AX中,其中数据的高8位存放在AH寄存器中,低8位存放在AL寄存器中。现需要将AX中的数据进行一次算术左移,其操作方法是:先对 ① 进行一次 ② 操作,再对 ③ 进行一次 ④ 操作。

答:① AL ② 算术左移 ③ AH ④ 带进位循环左移

3.23 是非题

(1)运算器的主要功能是进行加法运算。 ×

(2)加法器是构成运算器的主要部件,为了提高运算速度,运算器中通常都采用并行

加法器。 √

(3)在定点整数除法中,为了避免运算结果的溢出,要求|被除数|<|除数|。 √

(4)浮点运算器中的阶码部件可实现加、减、乘、除运算。 ×

(5)根据数据的传递过程和运算控制过程来看,阵列乘法器实现的是全并行运算。 √

(6)逻辑右移执行的操作是进位标志位移入符号位,其余数据位依次右移1位,最低位移入进位标志位。×

第四章 作业解答

4.1 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

答:静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位,只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。

动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。

由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电,因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。 动态存储器的刷新方式通常有: 精品文档

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集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式

4.2 某一64K×1位的动态RAM芯片,采用地址复用技术,则除了电源和地引脚外,该芯片还应有那些引脚?各为多少位?

解:地址线:采用地址复用技术,可为16/2=8位 数据线:1位;读写线WR/:1位;片选信号CS:1位 或 行选通信号RAS:1位;列选通信号CAS:1位

4.6 假设某存储器地址长为22位,存储器字长为16位,试问: (1)该存储器能存储多少字节信息? (2)若用64K×4位的DRAM芯片组织该存储器,则需多少片芯片?

(3)在该存储器的22位地址中,多少位用于选片寻址?多少位用于片内寻址? 答:(1)该存储器可存储222×2=223=8MB的信息。 (2)需要芯片 222×16/64×210×4=28=256

(3)22位地址中,16位用于片内寻址,6位用于选片寻址。

4.7某8位计算机采用单总线结构,地址总线17根(016?A,16A为高位),数据总线8根双向(07?D),控制信号WR/(高电平为读,低电平为写)。已知该机的I/O设备与主存统一编址,若地址空间从0连续编址,其地址空间分配如下:最低16K为系统程序区,由ROM芯片组成;紧接着48K为备用区,暂不连接芯片;接着60K为用户程序和数据空间,用静态RAM芯片组成;最后4K为I/O设备区。现有芯片如下:

Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y6 Y7 D0-D7 D0-D7 A13-A0 A13-A0 CS OE CS WE A B C A B C F & 3-8译码器 16KBRAM 16KBROM EN

ROM:16k×8位,其中CS:为片选信号,低电平有效,OE:为读出控制,低电平读出有效。 静态RAM:16K×8位,其中CS :为片选信号,低电平有效,WE:为写控制信号,低电平写,高电平读。

译码器:3—8译码器。输出低电平有效。 与非门:扇入系数不限。

试画出主存芯片连接的逻辑图并写出各芯片地址分配表(假设存储器从0连续进行编址)。 答:⑴ 共需5片,其中1片16K×8 ROM,4片16K×8 SRAM ⑵ 各芯片地址分配表

00000H ~ 03FFFH 系统程序区 16KB 04000H ~ 0FFFFH 备用区 48KB

10000H ~ 1EFFFH 用户程序区和数据空间 60KB 1F000H ~ 1FFFFH I/O设备区 4K

0 0000 0000 0000 0000 ~ 0 0011 1111 1111 1111 A16A15A14=000 ROM 1片 0 0100 0000 0000 0000 ~ 0 1111 1111 1111 1111 备用区

1 0000 0000 0000 0000 ~ 1 0011 1111 1111 1111 A16A15A14=100 16KRAM 第1片 1 0100 0000 0000 0000 ~ 1 0111 1111 1111 1111 A16A15A14=101 16KRAM 第2片 1 1000 0000 0000 0000 ~ 1 1011 1111 1111 1111 A16A15A14=110 16KRAM 第3片

1 1100 0000 0000 0000 ~ 1 1110 1111 1111 1111 A16A15A14=111 A13A12≠11 12KRAM 第4片

1 1111 0000 0000 0000 ~ 1 1111 1111 1111 1111 A16A15A14=111 A13A12=11 4K I/O设备区 0 0000 0000 0000 0000 ~ 0 0011 1111 1111 1111 00000H ~ 03FFFH 0 0100 0000 0000 0000 ~ 0 1111 1111 1111 1111 04000H ~ 0FFFFH 1 0000 0000 0000 0000 ~ 1 0011 1111 1111 1111 10000H ~ 13FFFH 1 0100 0000 0000 0000 ~ 1 0111 1111 1111 1111 14000H ~ 17FFFH 1 1000 0000 0000 0000 ~ 1 1011 1111 1111 1111 18000H ~ 1BFFFH 精品文档

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1 1100 0000 0000 0000 ~ 1 1110 1111 1111 1111 1C000H ~ 1EFFFH 1 1111 0000 0000 0000 ~ 1 1111 1111 1111 1111 1F000H ~ 1FFFFH ⑶ 主存芯片与CPU的连接逻辑图

ROM RAM RAM RAM RAM A13~A0 R/W 3—8译码器 MEMR EN A16 A15 A14 C B A D7~D0 A13 A12

4.9 已知某8位机的主存采用4K×4位的SRAM芯片构成该机所允许的最大主存空间,并选用模块板结构形式,该机地址总线为18位,问:

(1)若每个模块板为32K×8位,共需几个模块板?

(2)每个模块板内共有多少块4K×4位的RAM芯片?请画出一个模块板内各芯片连接的逻辑框图。

(3)该主存共需要多少4K×4位的RAM芯片?CPU如何选择各个模块板? 答:

(1)主存总容量 218×8=256K×8,∵每个模块板为32K×8位,∴ 共需256K/32K=8个模块板。

(2)每个模块板内共有32K×8位/4K×4位=16片RAM芯片。 一个模块板内各芯片连接的逻辑框图:

RAM0 RAM1 RAM2 RAM3 RAM4 RAM7 A11~A0 R/W 3—8译码器 A14 A13 A12 D7~D0 MEMR EN C B A ? ? D7~D4 D3~D0 RAM0 RAM1 RAM2 RAM3 RAM4 RAM7 ?

(3)该主存共需要16×8=128片4K×4位的RAM芯片。用地址高3位,通过3-8译码器形成各模板选择信号。

4.10 64K×1位DRAM芯片通常制成两个独立的128×256阵列。若存储器的读/写周期为

0.5μs,则对集中式刷新而言,其“死区”时间是多少?如果是一个256K×1位的DRAM芯片,希望能与上述64K×1位DRAM芯片有相同的刷新延时,则它的存储阵列应如何安排? 解:⑴ 两个独立的128×256阵列共128×2=256行,读/写周期为0.5μs 对集中式刷新而言,其“死区”时间为:256×0.5μs=128μs

⑵ 要求256K×1位的DRAM芯片与64K×1位DRAM芯片有相同的刷新延时,则存储阵列的行数应一致,即为256行,所以256K×1位的DRAM芯片的存储阵列应安排为256×1024,即分为两个独立的128×1024的阵列。

4.11 某磁盘组有16个数据记录面,每面有256个磁道,每个磁道分为16个扇区,每个扇区包括512字节,已知磁盘内磁道直径为10英寸,外磁道直径为14英寸,转速为3600r/min, 磁头平均定位时间为15ms,求:

(1)该磁盘组最大存储容量是多少?

(2)该磁盘组最大位密度、磁道密度是多少? (3)该磁盘的平均存取时间、数据传输率是多少?

答:(1)该磁盘组最大存储容量是:C=n×T×S×B=16×256×16×512B=32MB=225B (2)最大位密度 16×512×8/10π=2087位/英寸=2087bpi 磁道密度256/(14/2-10/2)=256/2=128道/英寸=128 tpi (3)平均存取时间

数据传输率:Dr=16×512×8×3600/60=3932160bit/s=491520B/秒=480KB/s 平均等待时间:60/(3600×2)=8.3ms 平均存取时间:8.3+15=23.3 ms

考虑:启动延迟+传送一个扇区数据所需的时间。启动延迟未给,忽略。 传送一个扇区数据所需的时间=512B/480KB≈1.042ms 平均存取时间:8.3+15+1.042≈24.3ms

4.12 若某机磁盘子系统共有4台驱动器,每台驱动器装有与上述磁盘组相同的磁盘组,请设精品文档

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计该磁盘子系统的地址格式。 答: 17 16 15 8 7 4 3 0

驱动器号(2位) 圆柱面号(8位) 盘面号(4位) 扇区号(4位)

补充题:

1. 请用2K×8bit的SRAM设计一个8K×32bit的存储器,并画出存储器与CPU的连接原理图。 要求:⑴ 存储器可以分别被控制访问8,16,32位数据,控制信号B1B0由CPU提供: 当B1B0=00时访问32位数据; 当B1B0=01时访问16位数据; 当B1B0=10时访问8位数据。

⑵ 存储芯片地址按交叉方式编址。 ⑶ 满足整数边界地址的安排。

解:⑴ 共需芯片 4×4=16片。其中字扩展为4组,位扩展为4片。

共需15根地址线,其中:用A1A0控制位扩展的各片,片内地址A12~A2,高位A14A13作为字扩展各组片选信号。

2K×8(1) 2K×8(2) 2K×8(3) 2K×8(4) CS3 CS2 CS1 CS0 D32~ D24 D23~ D16 D15~ D8 D7~ D0 A12~A2 ⑵ 设每组中数据位数从高到低依次为第一片→第四片。 选中第一片时,C=1,选中第二片时,D=1, 选中第三片时,E=1,选中第四片时,F=1, 有下列逻辑关系: B1B0A1A0 CDEF 说明 0000 1111

访问32位数据 0001 0000 不访问 0010 0000 不访问 0011 0000 不访问 0100 0011 精品文档