发布时间 : 星期三 文章期末试题更新完毕开始阅读0a69800902d276a200292ee6
学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
一．选择填空题：（共30分，每空1分）必须将正确答案编号填入空内！
1. 下列方程中（B ）是磁通连续性原理的微分形式，（D ）是高斯定理的微分形式。
?????B?ρJ??A.??E?? B.??B?0 C. ?· D.?·D?ρ
?τ?t????DE.??H?J?
?t2. 导电媒质中存在时谐电磁场时，其中的传导电流与位移电流的相位差为（D ）。良导体中，电场强度和磁场强度的相位差为（C ）。
A．0° B.30° C.45° D.90° E.180° 3. 两种电导率有限并分别为
和
的媒质分界面上，无外加源，则切向分量连续的物理量分
别是（A ）和（E ）。（与顺序无关）
????A.电场强度E B. 电位移矢量D C. 传导电流J D. 磁感应强度B
E. 磁场强度H
4. 引起同轴线单位长度电感变化的因素为（B ）和（E ）（与顺序无关）
A.电流I B.磁导率μ C.介电常数ε D.磁通? E.内外导体半径a、b
5. 坡印廷定理是关于电磁能量转换过程的能量守恒定律。其中（E ）表示单位时间进入S面包围的有限空间体积V中的电磁能量，（A ）表示单位时间内体积V中电磁能量的增加，（C ）表示单位时间体积V内损耗的电磁能量。
A.
???111??1? B.H?B?E?DdVH?B?E?D???dV ?V?2?t?V?222??? C.
?VE?JdV D.?S???E?H?dS E.???E?H??dS
6. 下列电场表达式中，（E ）表示线极化波，(A )表示右旋圆极化波，（C )表示左旋椭圆极化
波。
A. E(z)=(exE0? B. E(z)=(exE0?jeyE0)e?jkz
jeyE0)e+jkz
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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
C. E(z)=(exE1? D. E(z)=(exE1?jeyE2)e?jkz jeyE2)e?jkz
-jkz E. E(z)=(exE1?eyE2)e
7. 两块成90°的接地导体板，角形区域内有点电荷+q，若用镜像法求该区域内的电位分布，则
共有（D ）个像电荷，其中电荷量为+q的像电荷有（B ）个。
A.0个 B.1个 C.2个 D.3个 E.4个
8. 电磁波场量中含有（D ）因子，表示沿+z方向传输的行波，含有（A ）因子表示沿z分布的
驻波。（k、?为实数）
A.coskz B.e??z C.e?jkr D.e?jkz E. e?jkz
9. 下列电场表达式中，（B ）表示均匀平面波，（C ）表示均匀球面波。（x、z为直角坐标系坐
标变量，r、?为球坐标系变量） A.Eme??xcos??t??z? B.Emcos??t??z? C.
Emsin?cos??t??r? rEmcos??t??r? rD.Emsin?zsin?t E.
10. 均匀导波系统中可能存在的模式有（C ），矩形波导中不可能传播（A ）。
A.TEM B.TE,TM C.TEM,TE和TM D.TEM,TE E.TEM,TM
11. 在a?b且b 12. 均匀平面波由介电常数为?1的理想介质斜入射到介电常数为?2的理想介质的分界面上，且 ，发生全透射的条件是（C ）。（其中?i为入射角，?c为?1??2。发生全反射的条件是（D ）临界角，?b为布儒斯特角） A．平行极化入射，且?i>?b B. 垂直极化入射，且?i=?b 第 2 页 共 8页 学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… C．平行极化入射，且?i=?b D．垂直极化入射，且?i>?c E. 平行极化入射，且?i 13. 平行极化的均匀平面波，斜入射到两种理想介质分界面上，若发生全反射时，透射波为（C ）。 若发生全透射时，反射波为（A ） A．0 B.呈驻波分布 C.随离开分界面距离的增加呈指数衰减 D．均匀平面波 E.均匀球面波 14. 垂直于地面架设的电偶极子天线的远区辐射场的最大辐射方向与地面成（A ）。该方向上电场 强度与地面成（E ）。 A．0 B.30 C.45 D.60 E.90 得 分 第 3 页 共 8页 学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二．计算题（共70分） 1. （20分）同轴线内外导体半径分别为a和b。其间填充非均匀电介质，且其介电常数随径向 距离r变化的规律为???0ra。已知外导体接地，内导体电位为U0。如图所示。求①介质中的E和D；②介质中的极化体电荷密度和介质表面的极化面电荷密度；③导体表面的自由电荷面密度。 ?a b U0 解：（1）介质中的E和D 设内导体单位长度带电荷为?l，根据高斯定理可得 D?e?lr2?r （a 00rar由Ub0??baEdl??a?l?b?a??la2??r2dr? 得 02??0b?l?2??0U0b?a （3分） （2）介质中的极化强度为 P?D??0E?e?0?r?a?bU0r?b?a?r2 （2分） 介质中的计划电荷体密度为 ?1d1d??0?r?a?bU0??0abU0P???P??rdr?rPr??rdr?r???b?a?r2?? ??b?a?r33分） 第 4 页 共 8页 （